三星HBM4逻辑芯片初战告捷，DRAM芯片却陷漏电难题

近日，韩国媒体《ChosunBiz》披露了一则关于三星电子在先进制程技术上的新进展。报道指出，在4nm制程的HBM4内存逻辑芯片的初步测试生产中，三星电子取得了40%的良率，这一成绩不仅远超通常10%的起点水平，也大幅优于先前同制程产品的不足20%表现。

虽然40%的良率仅代表初步阶段的成果，但这一数据无疑为三星电子在4nm HBM4逻辑芯片的进一步开发奠定了较为坚实的基础。随着芯片制造技术的不断成熟，业界普遍预期这一良率将会持续上升。

回顾历史，三星电子在HBM3时期曾遭遇重大挫折，不仅失去了70%的HBM内存市场份额，还首次让出了第一大DRAM原厂的宝座，这一变化让竞争对手SK海力士获益匪浅。为了扭转局势，三星电子在HBM4的研发上采取了更为激进的技术策略。

据悉，三星电子计划在12Hi HBM4中引入1c nm DRAM内存芯片和4nm逻辑芯片。尽管逻辑芯片端的初步测试结果较为乐观，但在1c nm DRAM方面，三星电子却面临着一些挑战。另一家韩国媒体《DealSite》近日报道称，自1z nm时期开始出现的电容漏电问题，正在对三星1c nm DRAM的开发量产造成显著影响。

为了应对这一挑战，三星电子正试图通过放宽线宽等方式来改进电容器的性能表现。然而，尽管三星进行了诸多尝试，但电容器的稳定性仍未达到预期水平，这很可能导致1c nm的研发进度受到拖累。三星电子能否在HBM4上实现全面突破，目前仍是一个未知数。